เลือกประเทศหรือภูมิภาคของคุณ

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOD8N25 Imageดูภาพขนาดใหญ่
ภาพอาจเป็นตัวแทน
ดูรายละเอียดผลิตภัณฑ์

AOD8N25

Stock Available ราคาอ้างอิง (ดอลลาร์สหรัฐฯ)
2500+
$0.32
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:
AOD8N25
ผู้ผลิต / แบรนด์
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
บางส่วนของคำอธิบาย:
MOSFET N CH 250V 8A TO252
คุณสมบัติของวัสดุ:
AOD8N25(1).pdfAOD8N25(2).pdfAOD8N25(3).pdfAOD8N25(4).pdfAOD8N25(5).pdfAOD8N25(6).pdf
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
สถานะสต็อค:
มีสินค้าใหม่พร้อมจำหน่ายแล้ว
จัดส่งจาก:
Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:
DHL/Fedex/TNT/UPS

สอบถามข้อมูลออนไลน์

โปรดกรอกข้อมูลในฟิลด์ที่จำเป็นทั้งหมดด้วยข้อมูลติดต่อของคุณคลิก "ส่งคำขอ"เราจะติดต่อคุณทางอีเมลหรือส่งอีเมลถึงเรา: info@electronics-diodes.com
รุ่นผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิต
ต้องใช้ปริมาณ
ราคาเป้าหมาย(USD)
ชื่อบริษัท
ชื่อผู้ติดต่อ
E-mail
เบอร์โทร
ข้อความ
กรุณาใส่รหัสยืนยันแล้วคลิก "ส่ง"
รุ่นผลิตภัณฑ์ AOD8N25
ผู้ผลิต / แบรนด์ Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ประเภท ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ไม่ต่อเนื่อง > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single
ลักษณะ MOSFET N CH 250V 8A TO252
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: RoHS Compliant
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id 4.3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด) ±30V
เทคโนโลยี MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ TO-252 (DPAK)
ชุด -
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 560mOhm @ 1.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) 78W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
บรรจุุภัณฑ์ Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน -50°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds 306 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V
ประเภท FET N-Channel
คุณสมบัติ FET -
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) 250 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส 8A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน AOD8

บรรจุภัณฑ์

เราให้บริการบรรจุภัณฑ์ป้องกันไฟฟ้าสถิตที่มีคุณภาพสูงสุดและราคาประหยัดที่สุด ด้วยความโปร่งใสของแสง 40% ทำให้สามารถระบุ IC (วงจรรวม) และ PCB (แผงวงจรพิมพ์) ได้ง่าย การสร้างโครงสร้างโลหะที่ทนทานอย่างยิ่งทำให้ FaradayCage มีความจำเป็นในการป้องกันอุปกรณ์เหล่านี้อย่างมีประสิทธิภาพต่อประจุไฟฟ้าสถิตย์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดจะบรรจุในถุงป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ จัดส่งด้วยระบบป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD
นอกฉลากบรรจุ ESD จะใช้ข้อมูลของ บริษัท ของเรา: หมายเลขผู้ผลิต, ยี่ห้อและปริมาณ
เราจะตรวจสอบสินค้าทั้งหมดก่อนที่จะส่งให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ทั้งหมดที่อยู่ในสภาพดีและให้แน่ใจว่าชิ้นส่วนเป็นต้นฉบับแผ่นข้อมูลการแข่งขันใหม่
หลังจากสินค้าทั้งหมดให้แน่ใจว่าไม่มีปัญหา afterpacking เราจะบรรจุอย่างปลอดภัยและส่งโดยด่วนทั่วโลก มันแสดงให้เห็นว่าการเจาะที่ดีเยี่ยมและความต้านทานการฉีกขาดพร้อมกับความสมบูรณ์ของตราประทับที่ดี
เราสามารถนำเสนอบริการจัดส่งด่วนทั่วโลกเช่น DHLor FedEx หรือ TNT หรือ UPS หรือผู้ส่งอื่น ๆ สำหรับการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วโลกโดย DHL / FedEx / TNT / UPS

ค่าธรรมเนียมการจัดส่งอ้างอิง DHL / FedEx
1) คุณสามารถเสนอบัญชีจัดส่งด่วนสำหรับการจัดส่งหากคุณไม่มีบัญชีด่วนใด ๆ สำหรับการจัดส่งเราสามารถเสนอบัญชีของเราได้ล่วงหน้า
2) ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งค่าจัดส่ง (DHL / FedEx อ้างอิงประเทศที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)
ค่าจัดส่ง: (อ้างอิง DHL และ FedEX)
น้ำหนัก (กก.): 0.00 กก. - 1.00 กก ราคา (USD $): USD $ 60.00
น้ำหนัก (กก.): 1.00 กก. - 2.00 กก ราคา (USD $): USD $ 80.00
* ราคาต้นทุนอ้างอิงกับ DHL / FedEx ค่าใช้จ่ายรายละเอียดโปรดติดต่อเรา ประเทศที่แตกต่างกันค่าใช้จ่ายด่วนจะแตกต่างกัน



AOD8N25 รายละเอียดสิ้นค้า:

AOD8N25 is a single MOSFET transistor that belongs to the Discrete Semiconductor Products classification. Its main features include an enhanced power device structure, low on-resistance, and fast switching speed. These features make it suitable for a wide range of electronic devices and applications. In terms of performance parameters, AOD8N25 has a maximum output voltage of 250V, a current rating of 8A, and a power dissipation of 78.2W. With a low gate charge of 32nC and a threshold voltage range of 2V to 4V, it exhibits excellent performance and accuracy. This MOSFET transistor can be used in various industries and applications such as automotive, telecom, computing, power supplies, etc. It is ideal for use in high-temperature environments as it can operate within a temperature range of -55°C to 175°C. AOD8N25 is an example of a digital integrated circuit, which boasts a fast response time and high precision. There are several types of integrated circuits named after their primary application areas such as analog ICs, digital ICs, mixed-signal ICs, and RF ICs. The manufacturing process of AOD8N25 comprises a complex series of steps, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. All these steps involve state-of-the-art equipment and technology to ensure high-quality components. Before the finished product reaches the market, it undergoes rigorous testing and packaging to ensure its component quality and accuracy. This helps to minimize the possibility of any defect in the product. In conclusion, AOD8N25 is a high-performance single MOSFET transistor that finds a wide variety of applications across industries. Its enhanced power device structure and fast switching speed make it a highly accurate and reliable choice for use in power supply, telecom, and automotive industries, among others.

คุณอาจสนใจด้วย: